MOS管（MOSFET）的測(cè)試方法:
場(chǎng)效應(yīng)管,如果已知型號(hào)與管腳,用萬(wàn)用電表測(cè)G（柵極）和S（源極）之間,G與D（漏極）之間沒(méi)有PN結(jié)電阻,說(shuō)明該管子已壞.用萬(wàn)用電表的R×1kΩ檔,其表棒分別接在場(chǎng)效應(yīng)管的S極和D極上,然后用手碰觸管子和G極,若表針不動(dòng),說(shuō)明管子不好;若表針有較大幅度的擺動(dòng),說(shuō)明管子可用.

另外:1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別
（1）從包裝上區(qū)分
由于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極易被擊穿損壞,所以管腳之間一般都是短路的或是用金屬箔包裹的;而結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在包裝上無(wú)特殊要求.
（2）用指針式萬(wàn)用表的電阻檔測(cè)量
用萬(wàn)用表的“R×lk”檔或“R×100”檔測(cè)G、S管腳間的阻值,N結(jié)的正、反向阻值,此管為結(jié)型管.
2、用萬(wàn)用表電阻檔判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管管腳
一般用R×1k或R×100檔進(jìn)行測(cè)量,測(cè)量時(shí),任選兩管腳,測(cè)正、反向電阻,阻值都相同（均為幾千歐）時(shí),該兩極分別為D、S極（在使用時(shí),這兩極可互換）,余下的一極為
由于絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在測(cè)量時(shí)易損壞,所以不使用此方法進(jìn)行管腳識(shí)別,一般以查手冊(cè)為宜.

簡(jiǎn)單方法檢測(cè)IGBT模塊的好壞：

    l 、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉?R×1K 。擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（ G ）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C ） ：黑表筆接的為發(fā)射極（ E ）。

　2 、判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉?R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT 的集電極（ C ） ，紅表筆接 IGBT 的發(fā)時(shí)極 （ E ） ，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和集電極（ C ） ，這時(shí)工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和發(fā)射極（ E ） ，這時(shí) IGBT 被阻斷，萬(wàn)用表的指針 回零。此時(shí)即可判斷 IGBT 是好的。

　 3 、注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表鈴可用于檢測(cè) IGBT 。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉?R×IOK擋，因 R×IKQ 檔以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷 IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （ P 一 MOSFET ）的好壞。