| 佛山市施科電子科技有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品: 薄膜電容,IGBT吸收電容,直流鏈支撐電容 |
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公司信息
產(chǎn)品展示
Product| 產(chǎn)品圖片 | 產(chǎn)品名稱(chēng) | |||
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XDP直流支撐電容器 簡(jiǎn)單介紹:XDP系列DC-LINK電容特點(diǎn): 鋁外殼、無(wú)感卷繞、用于太陽(yáng)能,風(fēng)電變流器直流母線。高有效電流,1.5倍過(guò)壓能力 電壓:700- 4000Vdc 容值:33-3200µF 產(chǎn)品型號(hào):XDP 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
參考價(jià): 面議 詢價(jià)留言 | ||
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XSD吸收電容高頻吸收電容 簡(jiǎn)單介紹:用于緩沖吸收、高脈沖線路、MOSFET 緩沖吸收,高頻諧振 電壓:: 630 to 2000 Vdc 容量:: 0.001 - 1.5µF 用于IGBT、IPM突波吸收, 高頻諧振 電壓::700-3000Vdc 產(chǎn)品型號(hào):XSD吸收電容 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
參考價(jià): 面議 詢價(jià)留言 | ||
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XSMXICO薄膜電容器 簡(jiǎn)單介紹:IGBT模塊突波吸收 電壓::700-3000Vdc 電容量::0.0047 - 5.6µF 產(chǎn)品型號(hào):XSM 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
參考價(jià): 面議 詢價(jià)留言 | ||
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1200V/1.5UF 簡(jiǎn)單介紹:用于IGBT、IPM突波吸收, 高頻諧振 電壓::700-3000Vdc 電容器::0.0068 to 6.8μF 產(chǎn)品型號(hào): 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
參考價(jià): 面議 詢價(jià)留言 | ||
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1200V/1.0UF 簡(jiǎn)單介紹:用于IGBT、IPM突波吸收, 高頻諧振 電壓::700-3000Vdc 電容器::0.0068 to 6.8μF 產(chǎn)品型號(hào): 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
參考價(jià): 面議 詢價(jià)留言 | ||
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700V電壓方形電容 簡(jiǎn)單介紹:隨著電力工業(yè)的快速發(fā)展,XICO技術(shù)和工藝水平的不斷提高,無(wú)論是成本效益,或交付的速度,以及專(zhuān)業(yè)客戶的生產(chǎn)有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。 XDB系列DC-LINK濾波電容特點(diǎn): DC-LINK濾波、直流鏈應(yīng)用、高有效電流,1.5-2倍過(guò)壓能力,2-6Pin PCB安裝 電壓: 500- 1100Vdc 容值:6.0-90μF 產(chǎn)品型號(hào): 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
參考價(jià): 面議 詢價(jià)留言 | ||
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XDB小功率光伏逆變器直流支撐電容 簡(jiǎn)單介紹:隨著電力工業(yè)的快速發(fā)展,XICO技術(shù)和工藝水平的不斷提高,無(wú)論是成本效益,或交付的速度,以及專(zhuān)業(yè)客戶的生產(chǎn)有很強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。 XDB系列DC-LINK濾波電容特點(diǎn): DC-LINK濾波、直流鏈應(yīng)用、高有效電流,1.5-2倍過(guò)壓能力,2-6Pin PCB安裝 電壓: 500- 1100Vdc 容值:6.0-90μF 產(chǎn)品型號(hào):XDB 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XWHUPS吸收電容 簡(jiǎn)單介紹:Operating temperature range(case) :- 40 to + 85 ?C Capacitance :0.15 to 60μF Rated Voltage :250 to 850 VDC Tolerance :± 5% , ± 10% 產(chǎn)品型號(hào):XWH 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XAD交流濾波電容 簡(jiǎn)單介紹:Capacitance :8 to 350μF Rated Voltage :400 to 850VDC (250 to 450Vac ) Tolerance :± 5% , ± 10% Dissipation factor:≤2×10-3 Measured at 100Hz and 25±5?C 產(chǎn)品型號(hào):XAD 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XGD高壓電容 簡(jiǎn)單介紹:ELECTRICAL CHARACTERISTICS Operating temperature range:- 40 to + 85 ?C (case) Capacitance :0.068 to 3.0μF Rated Voltage :4k to 12k V DC Tolerance :± 5% , ± 10% Dissipation factor:≤8×10-4Measu 產(chǎn)品型號(hào):XGD 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XDPDC-LINK電容 簡(jiǎn)單介紹:XDP系列DC-LINK電容特點(diǎn): 鋁外殼、無(wú)感卷繞、用于太陽(yáng)能,風(fēng)電變流器直流母線。高有效電流,1.5倍過(guò)壓能力 電壓:700- 4000Vdc 容值:33-3200μF 產(chǎn)品型號(hào):XDP 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XSDXSD薄膜電容 簡(jiǎn)單介紹:用于緩沖吸收、高脈沖線路、MOSFET 緩沖吸收,高頻諧振 電壓:: 630 to 2000 Vdc 容量:: 0.001 - 1.5μF 用于IGBT、IPM突波吸收, 高頻諧振 電壓::700-3000Vdc 電容器::0.0068 to 6.8μF 產(chǎn)品型號(hào):XSD 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XDPXICO直流濾波電容 簡(jiǎn)單介紹:XDP系列DC-LINK電容特點(diǎn): 鋁外殼、無(wú)感卷繞、用于太陽(yáng)能,風(fēng)電變流器直流母線。高有效電流,1.5倍過(guò)壓能力 電壓:700- 4000Vdc 容值:33-3200μF 產(chǎn)品型號(hào):XDP 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XSMXICO無(wú)感吸收電容 簡(jiǎn)單介紹:IGBT模塊突波吸收 電壓::700-3000Vdc 電容量::0.0047 - 5.6μF 產(chǎn)品型號(hào):XSM 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XSM光伏逆變器吸收電容 簡(jiǎn)單介紹:IGBT模塊突波吸收 電壓::700-3000Vdc 電容量::0.0047 - 5.6μF 產(chǎn)品型號(hào):XSM 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XSMXIC薄膜電容O 簡(jiǎn)單介紹:IGBT模塊突波吸收 電壓::700-3000Vdc 電容量::0.0047 - 5.6μF 產(chǎn)品型號(hào):XSM 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XSMXICO吸收電容 簡(jiǎn)單介紹:IGBT模塊突波吸收 電壓::700-3000Vdc 電容量::0.0047 - 5.6μF 產(chǎn)品型號(hào):XSM 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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吸收電容1200V 簡(jiǎn)單介紹:IGBT模塊突波吸收 電壓::700-3000Vdc 電容量::0.0047 - 5.6μF 產(chǎn)品型號(hào): 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XDP風(fēng)電變流器支撐電容 簡(jiǎn)單介紹:XDP系列DC-LINK電容特點(diǎn): 鋁外殼、無(wú)感卷繞、用于太陽(yáng)能,風(fēng)電變流器直流母線。高有效電流,1.5倍過(guò)壓能力 電壓:700- 4000Vdc 容值:33-3200μF 產(chǎn)品型號(hào):XDP 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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XSDXICO薄膜電容 簡(jiǎn)單介紹:用于IGBT、IPM突波吸收, 高頻諧振 電壓::700-3000Vdc 電容器::0.0068 to 6.8μF 產(chǎn)品型號(hào):XSD 所在地:佛山市 更新時(shí)間:2022-03-24 |
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