GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備訂貨信息

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容     

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 

設(shè)備特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）；  
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、納安級(jí)漏電流測(cè)試；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板，方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可自由配置，方便維護(hù)；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；

設(shè)備參數(shù)

GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，皮安級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。